铠侠官方近日敲定，已正式向合作伙交付第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb（万亿比特）TLC芯片样品，方便终端厂商在产品全面量产前跑通功能验证。


据铠侠披露的技术细节，全新的第9代BiCS FLASH 1Tb TLC芯片基于第8代架构，融合了230层堆叠工艺与顶尖CMOS技术。得益于这波降维打击，其NAND接口速率直接轰到了4.8Gb/s，相比第8代大幅暴涨33%，跑分表现几乎跟第10代旗舰平起平坐。

值得关注的是，铠侠目前正在双线并行推进第9代与第10代BiCS FLASH的研发落地方案。其中第9代主打控本增效，在降本的同时拉满高能效表现，而第10代则靠着更夸张的堆叠层数冲击极佳存储容量与极致算力体验。

随着样品陆续送样，设备大厂已经可以跟进展开兼容测试。这套硬核存储预计未来将成为AI PC、智能手机等兼顾高算力与中低容量配置设备的绝对主力。虽说样片出货无法一秒解决当前的存储芯片荒，但后续商业化量产落地后，必然能强力缓解市场供需危机，帮终端厂商压低BOM成本，最终让消费者尝到性价比甜头。