随着全球对 AI 专用高带宽内存（HBM）的狂热注资，存储巨头 SK 海力士最新的二季度财报却给火热的市场泼下了一盆冷水。由于业务重心过度向 AI 领域的 HBM 芯片倾斜，SK 海力士第二季度的营收与营业利润均未能触及市场此前给出的高预期，引发了半导体行业的强烈震荡。


财报具体数据显示，SK 海力士第二季度实现营收约 546 亿美元（约合 79.3 万亿韩元），不及市场普遍预期的 577 亿美元，降幅达 5.4%；同期营业利润录得 416 亿美元（约合 60.5 万亿韩元），落后于预期的 442 亿美元，缺口约为 5.9%。不过，受益于此前存储大周期的强劲复苏，公司本季度的营收与营业利润同比依然实现了 257% 与 557% 的爆发式增长，营业利润率更高达创纪录的 76.3%。

业内分析人士指出，SK 海力士本次业绩遭遇“滑铁卢”，根源恰恰在于其 HBM 产品在总体销售组合中占比过高。随着近期通用标准 DRAM（商品化内存）出现剧烈的现货暴涨并反超 HBM 溢价，全押 HBM 的 SK 海力士在平均销售单价（ASP）增速上被迫落后于行业平均水准，最终导致整体营收规模逊于预测。

虽然面临短期业绩波动的阵痛，但存储市场的根本格局并不会就此发生逆转。SK 海力士 CEO 此前曾公开发出预警，认为从供应端来看 2027 年可能会成为“行业历史上最糟糕的一年”。为了规避潜在的供需失衡与产能瓶颈，SK 海力士正全面加速扩产步伐，其位于龙仁的 Y1 晶圆厂计划于 2027 年 2 月投产，Y2 晶圆厂则预计在 2028 年下半年正式上线。按照既定战术路线图，公司将在 2026 年和 2027 年分别向全球市场供应 180 亿 GB 与 240 亿 GB 的 HBM 内存。

与此同时，深刻意识到过度依赖 HBM 所带来的结构性风险后，SK 海力士已开始迅速微调战略，重新加码消费级 DRAM 市场。公司计划在 2026 年下半年开始向客户交付新一代 LPDDR6 内存，并顺应 AI 数据中心的技术演进趋势，积极将 LPDDR6 规范引入 SOCAMM 架构，意图通过多元化的业务布局重新巩固其在存储赛道的绝对统治力。